TP2635N3-G

制造商编号:
TP2635N3-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
规格说明书:
TP2635N3-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.954075 17.95
25 14.915311 372.88
100 13.65492 1365.49

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
标准包装: 1,000

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TP2635N3-G

型号:TP2635N3-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

库存:0

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1+: ¥17.954075
25+: ¥14.915311
100+: ¥13.65492

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