库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.41958 | ￥3.42 |
| 10 | ￥2.757321 | ￥27.57 |
| 100 | ￥1.879515 | ￥187.95 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVII-H |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 185 毫欧 @ 1A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.2 nC @ 4.2 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 130 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 6-UDFN（2x2） |
| 封装/外壳: | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装: | 3,000 |
SSM6H19NU,LF
型号：SSM6H19NU,LF
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.41958 |
| 10+： | ￥2.757321 |
| 100+： | ￥1.879515 |
| 500+： | ￥1.409756 |
| 1000+： | ￥1.057323 |
| 3000+： | ￥0.969189 |
| 6000+： | ￥0.910463 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.42