货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥88.852087 | ¥88.85 |
10 | ¥80.263242 | ¥802.63 |
100 | ¥66.448709 | ¥6644.87 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 155A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 8V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5.9毫欧 @ 150A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 270µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 92 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7200 pF @ 75 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 375W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-HSOF-8-1 |
封装/外壳: | 8-PowerSFN |
标准包装: | 2,000 |
IPT059N15N3ATMA1
型号:IPT059N15N3ATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
库存:0
单价:
1+: | ¥88.852087 |
10+: | ¥80.263242 |
100+: | ¥66.448709 |
500+: | ¥62.217981 |
2000+: | ¥62.217993 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥88.85