NTMJS1D6N06CLTWG

制造商编号:
NTMJS1D6N06CLTWG
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
规格说明书:
NTMJS1D6N06CLTWG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 47.073496 47.07
10 42.251758 422.52
100 34.620157 3462.02

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Ta),250A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.36 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 91 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),167W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-LFPAK
封装/外壳: SOT-1205,8-LFPAK56
标准包装: 3,000

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NTMJS1D6N06CLTWG

型号:NTMJS1D6N06CLTWG

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK

库存:0

单价:

1+: ¥47.073496
10+: ¥42.251758
100+: ¥34.620157
500+: ¥29.47139
1000+: ¥28.244794
3000+: ¥28.244856

货期:1-2天

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