货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥33.70566 | ¥33.71 |
10 | ¥30.305458 | ¥303.05 |
100 | ¥24.828203 | ¥2482.82 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | HB |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 80 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 160 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,40A |
功率 - 最大值: | 283 W |
开关能量: | 498µJ(开),363µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 210 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 40ns/142ns |
测试条件: | 400V,40A,5 欧姆,15V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
标准包装: | 1,000 |
STGB40H65FB
型号:STGB40H65FB
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥33.70566 |
10+: | ¥30.305458 |
100+: | ¥24.828203 |
500+: | ¥21.136059 |
1000+: | ¥21.020762 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥33.71