BCR35PNE6433HTMA1

制造商编号:
BCR35PNE6433HTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
规格说明书:
BCR35PNE6433HTMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 150MHz
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-6
标准包装: 10,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DCX114YU-7-F Diodes Incorporated ¥2.46000 类似
PUMH9,115 Nexperia USA Inc. ¥2.76000 类似
SMUN5314DW1T1G onsemi ¥3.15000 直接
MUN5311DW1T2G onsemi ¥2.23000 类似
MUN5311DW1T1G onsemi ¥2.30000 类似

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BCR35PNE6433HTMA1

型号:BCR35PNE6433HTMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

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