库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 8000 | ￥0.6668 | ￥5334.40 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | - |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 160 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 功率 - 最大值: | 500mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | SOT-563 |
| 标准包装: | 4,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DDA114TH-7 | Diodes Incorporated | ¥3.99000 | 直接 |
| RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.76000 | 类似 |
| DDA143TH-7 | Diodes Incorporated | ¥3.99000 | 类似 |
NSBA114TDXV6T1G
型号：NSBA114TDXV6T1G
品牌：ON安森美
描述：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
库存：0
单价：
| 8000+： | ￥0.6668 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00