IXGN82N120B3H1

制造商编号:
IXGN82N120B3H1
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B
规格说明书:
IXGN82N120B3H1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10 356.250705 3562.51

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX3™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 145 A
功率 - 最大值: 595 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.2V @ 15V,82A
电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 7.9 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227B
标准包装: 10

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IXGN82N120B3H1

型号:IXGN82N120B3H1

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B

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