货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥18.556921 | ¥18.56 |
10 | ¥16.69325 | ¥166.93 |
100 | ¥13.42037 | ¥1342.04 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15.4 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 60µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 64 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4180 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 100W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IRFZ48NSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥13.98000 | 类似 |
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥14.13000 | 类似 |
IRLZ44ZSTRLPBF | Infineon Technologies | ¥13.36000 | 类似 |
IPB50N10S3L16ATMA1
型号:IPB50N10S3L16ATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
库存:0
单价:
1+: | ¥18.556921 |
10+: | ¥16.69325 |
100+: | ¥13.42037 |
500+: | ¥11.026025 |
1000+: | ¥10.500972 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.56