TN0200K-T1-E3

制造商编号:
TN0200K-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
规格说明书:
TN0200K-T1-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 730mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2 nC @ 4.5 V
FET 功能: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix ¥3.92000 类似

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型号:TN0200K-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-3

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