货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.179584 | ¥13.18 |
10 | ¥11.74475 | ¥117.45 |
100 | ¥9.15807 | ¥915.81 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | SuperMESH™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 11.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 311 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 45W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
STD3NK60ZT4
型号:STD3NK60ZT4
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥13.179584 |
10+: | ¥11.74475 |
100+: | ¥9.15807 |
500+: | ¥7.565504 |
1000+: | ¥6.334693 |
2500+: | ¥6.33473 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.18