货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.8A(Ta),58.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,11.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.95 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1400 pF @ 12 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 870mW(Ta),38.5W(Tc) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN,5 引线 |
标准包装: | 5,000 |
NTMFS4827NET3G
型号:NTMFS4827NET3G
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00