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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | PowerMESH™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 425 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 40 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 80 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 4.5V，20A |
| 功率 - 最大值: | 200 W |
| 开关能量: | 11.8mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 51 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 2.3µs/2µs |
| 测试条件: | 250V，20A，1 千欧，4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | D2PAK |
| 标准包装: | 1,000 |
STGB20NB37LZT4
型号：STGB20NB37LZT4
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK
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