RU8205G

制造商编号:
RU8205G
制造商:
Ruichips锐骏半导体
描述:
双N沟道(共漏) 20V 6A
规格说明书:
RU8205G说明书

库存 :27780

货期: 国内(1~2天)

封装: 编带

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 0.498169 0.50
10 0.399779 4.00
30 0.350583 10.52

规格参数

属性 参数值
类型: 双N沟道(共漏)
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 6A
功率(Pd): 1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 21mΩ@4.5V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 10nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds): 580pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds): 95pF@10V
工作温度: +150℃@(Tj)

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RU8205G

型号:RU8205G

品牌:Ruichips锐骏半导体

描述:双N沟道(共漏) 20V 6A

库存:27780

单价:

1+: ¥0.498169
10+: ¥0.399779
30+: ¥0.350583
100+: ¥0.313687
500+: ¥0.28417
1000+: ¥0.269411

货期:1-2天

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