货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | π-MOSVII |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 550 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 330 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 45 nC @ 10 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2600 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220SIS |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 50 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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R5016FNX | Rohm Semiconductor | ¥54.60000 | 类似 |
IPA50R350CPXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥6.20065 | 类似 |
STF45N65M5 | STMicroelectronics | ¥56.83000 | 直接 |
STF12N50DM2 | STMicroelectronics | ¥15.13000 | 类似 |
TK16A55D(STA4,Q,M)
型号:TK16A55D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00