NSBA115EDXV6T1G

制造商编号:
NSBA115EDXV6T1G
制造商:
ON安森美
描述:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
规格说明书:
NSBA115EDXV6T1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
4000 1.002593 4010.37

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 100 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 100 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
标准包装: 4,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DDA143TH-7 Diodes Incorporated ¥3.99000 类似

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型号:NSBA115EDXV6T1G

品牌:ON安森美

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