HS1GL RTG

制造商编号:
HS1GL RTG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
规格说明书:
HS1GL RTG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 7,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
S07G-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.61000 类似
S07G-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.61000 类似

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型号:HS1GL RTG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

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