库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 800 | ￥71.356308 | ￥57085.05 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | GeneSiC(基因半导体公司) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 35A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.2 V @ 35 A |
| 速度: | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA @ 50 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | - |
| 安装类型: | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳: | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商器件封装: | DO-5 |
| 工作温度 - 结: | -65°C ~ 190°C |
| 标准包装: | 100 |
1N1189
型号：1N1189
品牌：GeneSiC基因半导体公司
描述：DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
库存：0
单价：
| 800+： | ￥71.356308 |
货期：1-2天
+ -
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