库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.890302 | ￥29.89 |
| 10 | ￥26.870188 | ￥268.70 |
| 100 | ￥22.013263 | ￥2201.33 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 23 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 104 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4270 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 300W（Tc） |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
| FDP3651U | onsemi | ¥18.51000 | 类似 |
| IRF3710PBF | Infineon Technologies | ¥15.05000 | 类似 |
| IXTP75N10P | IXYS | ¥37.40000 | 类似 |
| HUF75639P3 | onsemi | ¥20.81000 | 类似 |
STP60NF10
型号：STP60NF10
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥29.890302 |
| 10+： | ￥26.870188 |
| 100+： | ￥22.013263 |
| 500+： | ￥18.739777 |
| 1000+： | ￥17.959869 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.89