库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.136969 | ￥14.14 |
| 10 | ￥12.652401 | ￥126.52 |
| 100 | ￥10.169168 | ￥1016.92 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 55 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.7 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 330 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
STS4DNFS30
型号：STS4DNFS30
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.136969 |
| 10+： | ￥12.652401 |
| 100+： | ￥10.169168 |
| 500+： | ￥8.354986 |
| 1000+： | ￥6.922701 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.14