TJ10S04M3L(T6L1,NQ

制造商编号:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
规格说明书:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2000 5.14664 10293.28

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSVI
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 44 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值): +10V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 930 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 27W(Tc)
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOD413A Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.92000 类似

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型号:TJ10S04M3L(T6L1,NQ

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

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