货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
500 | ¥14.714036 | ¥7357.02 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 750 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.9V @ 260µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 31 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 620 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 32W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO220-3-31 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥15.44000 | 类似 |
SPA06N60C3XKSA1
型号:SPA06N60C3XKSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
库存:0
单价:
500+: | ¥14.714036 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00