SH8KC6TB1

制造商编号:
SH8KC6TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO
规格说明书:
SH8KC6TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.64845 9.65
10 8.526942 85.27
100 6.536949 653.69

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度: 150°C(TJ)
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 32 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 460pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W(Ta)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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SH8KC6TB1

型号:SH8KC6TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:60V DUAL NCH+NCH, SOP8, POWER MO

库存:0

单价:

1+: ¥9.64845
10+: ¥8.526942
100+: ¥6.536949
500+: ¥5.167665
1000+: ¥4.134137
2500+: ¥3.746545
5000+: ¥3.523413

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥9.65