库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥110.285766 | ￥110.29 |
| 10 | ￥101.362193 | ￥1013.62 |
| 100 | ￥85.606124 | ￥8560.61 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | UnitedSiC |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（共源共栅 SiCJFET） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 12V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 58毫欧 @ 20A，12V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 6V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 43 nC @ 12 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1500 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 4-DFN（8x8） |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 标准包装: | 2,500 |
UF3SC065040D8S
型号：UF3SC065040D8S
品牌：UnitedSiC
描述：SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥110.285766 |
| 10+： | ￥101.362193 |
| 100+： | ￥85.606124 |
| 500+： | ￥76.152682 |
| 2500+： | ￥78.775034 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥110.29