货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥17.183194 | ¥17.18 |
10 | ¥15.372866 | ¥153.73 |
100 | ¥11.98248 | ¥1198.25 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 27 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8SH |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8SH |
标准包装: | 3,000 |
SISH106DN-T1-GE3
型号:SISH106DN-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥17.183194 |
10+: | ¥15.372866 |
100+: | ¥11.98248 |
500+: | ¥9.898415 |
1000+: | ¥7.814536 |
3000+: | ¥7.814536 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.18