FCP360N65S3R0

制造商编号:
FCP360N65S3R0
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
规格说明书:
FCP360N65S3R0说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
800 11.361224 9088.98

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: SuperFET® III
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 360 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 730 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STP16N65M2 STMicroelectronics ¥20.35000 类似

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FCP360N65S3R0

型号:FCP360N65S3R0

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

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