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货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 1000V（1kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 552 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 260nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 357W |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SP1 |
| 供应商器件封装: | SP1 |
| 标准包装: | 1 |
APTM100A46FT1G
型号：APTM100A46FT1G
品牌：Microsemi美高森美
描述：MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
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货期：1-2天
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