A2T18S262W12NR3

制造商编号:
A2T18S262W12NR3
制造商:
NXP恩智浦
描述:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
规格说明书:
A2T18S262W12NR3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
250 1469.737347 367434.34

规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 最后售卖
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.805GHz ~ 1.88GHz
增益: 19.3dB
电压 - 测试: 28 V
额定电流(安培): 10µA
噪声系数: -
电流 - 测试: 1.6 A
功率 - 输出: 231W
电压 - 额定: 65 V
封装/外壳: OM-880X-2L2L
供应商器件封装: OM-880X-2L2L
标准包装: 250

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.84000 类似
CGHV14800F Wolfspeed, Inc. ¥6,707.21000 类似
BLM8D1822S-50PBY Ampleon USA Inc. ¥336.68000 类似

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A2T18S262W12NR3

型号:A2T18S262W12NR3

品牌:NXP恩智浦

描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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250+: ¥1469.737347

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