库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | GeneSiC(基因半导体公司) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 160A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 毫欧 @ 100A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 14400 pF @ 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 535W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装: | 10 |
GA100JT12-227
型号：GA100JT12-227
品牌：GeneSiC基因半导体公司
描述：TRANS SJT 1200V 160A SOT227
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00