货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥71.252649 | ¥71.25 |
10 | ¥64.383852 | ¥643.84 |
100 | ¥53.304983 | ¥5330.50 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | UnitedSiC |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | - |
Vgs(最大值): | - |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-263(D2Pak) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
UF3C065080B3
型号:UF3C065080B3
品牌:UnitedSiC
描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO263
库存:0
单价:
1+: | ¥71.252649 |
10+: | ¥64.383852 |
100+: | ¥53.304983 |
800+: | ¥46.417083 |
1600+: | ¥40.836146 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥71.25