库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥71.252649 | ￥71.25 |
| 10 | ￥64.383852 | ￥643.84 |
| 100 | ￥53.304983 | ￥5330.50 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | UnitedSiC |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263（D2Pak） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
UF3C065080B3
型号：UF3C065080B3
品牌：UnitedSiC
描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO263
库存：0
单价：
| 1+： | ￥71.252649 |
| 10+： | ￥64.383852 |
| 100+： | ￥53.304983 |
| 800+： | ￥46.417083 |
| 1600+： | ￥40.836146 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥71.25